◆　X、Yそれぞれに４８ストリップのシリコン検出器を配置し、透過ビ−ムの位置を検出する装置です。

◆　ロ−ノイズ化を計るため、シリコン検出器とチャ−ジアンプ部及びシェ−ピングアンプ部を一体化し、同一ケ−スに収納しています。

◆　出力バッファ−アンプ部とプリアンプ部は多芯ケ−ブルを使用して数メ−トル離すことができます。

◆　９６ｃｈの出力バッファ−アンプには、ゲイン調整、オフセット調整及び出力波形モニタ−用端子を各チャンネルごとに設けてあり、
　　保守・点検を容易に行うことができます。

◆　出力信号は外部のA/Dコンバ−タを介してコンピュ−タへ送られます。

◆　出力バッファ−アンプ部本体はEIA規格の１９インチ　ラック・マウントタイプになっています。

◆　仕様
　　　チャンネル数　　　　　　９６ｃｈ（Ｘ：４８ｃｈ、Ｙ：４８ｃｈ）
　　　Ｓｉ半導体検出器　　　　S-2461-01ｘ２
　　　入力信号立上り時間　１０ｎＳ以下
　　　チャ−ジアンプ感度　　２ｐＣ／Ｖ
　　　バイアス抵抗　　　　　　２ＭΩ
　　　バイアス電圧　　　　　　−１００Ｖ　Max（外部電源使用）
　　　シェ−ピング時間　　 　１μＳ
　　　出力部ゲイン　　　　　 １〜１０倍連続可変
　　　出力電圧　　　　　　　　±１.５Ｖ以上／５０Ω負荷時
　　　ノイズ　　　　　　　　　　約６００ electrons/RMS（入力換算）
　　　精度　　　　　　　　　　　約２．５％
　　　電源　　　　　　　　　　　ＡＣ１００Ｖ　　約８５ＶＡ (±５Ｖ　５Ａ)
　　　外形寸法　　　　　　　　本体 ４８２Ｗｘ２２１Ｈｘ３２０Ｄ(６Ｕ ) 　Ｐｒｅａｍｐ部 ４３０Ｗx３２０Ｈ　検出部 ２７０Ｗx２７０Ｈ